N-kanal transistor IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

N-kanal transistor IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

Antal
Enhedspris
1-9
18.48kr
10-49
13.47kr
50-99
11.54kr
100+
10.00kr
Antal på lager: 592

N-kanal transistor IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Antal terminaler: 3. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1960pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 11 ns. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 130W. Max temperatur: +175°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Producentens mærkning: F540NS. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 39 ns. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: 33A. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF540NSPBF
17 parametre
Hus
D²-PAK
Hus (JEDEC-standard)
TO-263
Drain-source spænding Uds [V]
100V
Antal terminaler
3
Ciss Gate Kapacitans [pF]
1960pF
Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.044 Ohms @ 16A
Indkoblingstid ton [nsec.]
11 ns
Komponentfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Maksimal dissipation Ptot [W]
130W
Max temperatur
+175°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
4 v
Producentens mærkning
F540NS
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
39 ns
Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C
33A
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier