N-kanal transistor IRF540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V
Antal
Enhedspris
1+
27.74kr
| +680 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 800 |
N-kanal transistor IRF540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Antal terminaler: 3. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1960pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 11 ns. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 130W. Max temperatur: +175°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Producentens mærkning: F540NS. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 39 ns. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: 33A. Originalt produkt fra producenten: Infineon. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30
IRF540NSTRLPBF
17 parametre
Hus
D²-PAK
Hus (JEDEC-standard)
TO-263
Drain-source spænding Uds [V]
100V
Antal terminaler
3
Ciss Gate Kapacitans [pF]
1960pF
Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.044 Ohms @ 16A
Indkoblingstid ton [nsec.]
11 ns
Komponentfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Maksimal dissipation Ptot [W]
130W
Max temperatur
+175°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
4 v
Producentens mærkning
F540NS
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
39 ns
Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C
33A
Originalt produkt fra producenten
Infineon