N-kanal transistor IRF634, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.45 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 250V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 770pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 190pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 74W. RoHS: ja. Td(fra): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30