Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 9.62kr | 12.03kr |
5 - 9 | 9.14kr | 11.43kr |
10 - 24 | 8.85kr | 11.06kr |
25 - 49 | 8.66kr | 10.83kr |
50 - 99 | 8.46kr | 10.58kr |
100 - 195 | 7.42kr | 9.28kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 9.62kr | 12.03kr |
5 - 9 | 9.14kr | 11.43kr |
10 - 24 | 8.85kr | 11.06kr |
25 - 49 | 8.66kr | 10.83kr |
50 - 99 | 8.46kr | 10.58kr |
100 - 195 | 7.42kr | 9.28kr |
N-kanal transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N. N-kanal transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.15 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 1160pF. Omkostninger): 185pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 167 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 23 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten International Rectifier. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 08:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.