N-kanal transistor IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220
Antal
Enhedspris
3-5
14.97kr
6-49
14.46kr
50-149
12.35kr
150-549
11.62kr
550+
10.84kr
| +210 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 10 |
N-kanal transistor IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (Dræn til kildespænding): 200V. Drain-source spænding (Vds): 200V. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. Hus: TO220. Effekt: 125W. Funktioner: -. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 18A. Information: -. Kanaltype: N. Kør spænding: 10V. MSL: -. Max drænstrøm: 18A. Monteringstype: THT. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Polaritet: MOSFET N. Port/kildespænding Vgs max: -20V. Serie: -. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Originalt produkt fra producenten: VISHAY IR. Minimumsmængde: 3. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30
IRF640PBF
16 parametre
Vdss (Dræn til kildespænding)
200V
Drain-source spænding (Vds)
200V
On-resistance Rds On
0.18 Ohms
Hus
TO220
Effekt
125W
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm)
18A
Kanaltype
N
Kør spænding
10V
Max drænstrøm
18A
Monteringstype
THT
Pd (Strømafledning, maks.) )
40W
Polaritet
MOSFET N
Port/kildespænding Vgs max
-20V
Type transistor
MOSFET effekttransistor
Originalt produkt fra producenten
VISHAY IR
Minimumsmængde
3