N-kanal transistor IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

N-kanal transistor IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

Antal
Enhedspris
1-4
15.45kr
5-24
12.96kr
25-49
11.25kr
50-99
10.25kr
100+
8.79kr
Antal på lager: 147

N-kanal transistor IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.28 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 250V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 56A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 330pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja. Td(fra): 53 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF644
30 parametre
ID (T=100°C)
8.5A
ID (T=25°C)
14A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.28 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
250V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
1300pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
56A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
330pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
125W
RoHS
ja
Td(fra)
53 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier