N-kanal transistor IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V

N-kanal transistor IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V

Antal
Enhedspris
1-4
8.09kr
5-24
6.86kr
25-49
6.02kr
50-99
5.42kr
100+
4.56kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 49

N-kanal transistor IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3.6 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 400V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 170pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 6A. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 34pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. RoHS: ja. Td(fra): 12 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

IRF710
28 parametre
ID (T=100°C)
1.2A
ID (T=25°C)
2A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
3.6 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
400V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
170pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
6A
Kanaltype
N
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
34pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
36W
RoHS
ja
Td(fra)
12 ns
Td(on)
8 ns
Teknologi
Power MOSFET
Trr-diode (min.)
240 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Vishay

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRF710