N-kanal transistor IRF7103PBF, SO8, 50V

N-kanal transistor IRF7103PBF, SO8, 50V

Antal
Enhedspris
1-24
6.90kr
25+
4.63kr
Antal på lager: 132

N-kanal transistor IRF7103PBF, SO8, 50V. Hus: SO8. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: 50V. Antal terminaler: 8:1. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 290pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. Max temperatur: +150°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Producentens mærkning: F7103. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 70 ns. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: 3A. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF7103PBF
16 parametre
Hus
SO8
Drain-source spænding Uds [V]
50V
Antal terminaler
8:1
Ciss Gate Kapacitans [pF]
290pF
Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.13 Ohms @ 3A
Indkoblingstid ton [nsec.]
20 ns
Komponentfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Maksimal dissipation Ptot [W]
2W
Max temperatur
+150°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
3V
Producentens mærkning
F7103
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
70 ns
Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C
3A
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier