N-kanal transistor IRF7103TRPBF, SO8
Antal
Enhedspris
1-4
10.49kr
5-9
6.57kr
10-19
5.44kr
20-49
4.87kr
50+
4.44kr
| +1366 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 25 |
N-kanal transistor IRF7103TRPBF, SO8. Hus: SO8. Drænkildespænding: 50V. Effekt: 2W. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Montering / installation: SMD. Oplade: 12nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Termisk modstand: 62.5K/W. Tøm strøm: 3A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30
IRF7103TRPBF
12 parametre
Hus
SO8
Drænkildespænding
50V
Effekt
2W
Gate-source spænding
20V, ±20V
Montering / installation
SMD
Oplade
12nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Termisk modstand
62.5K/W
Tøm strøm
3A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)