N-kanal transistor IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v
Antal
Enhedspris
1-4
6.76kr
5-49
5.63kr
50-94
4.90kr
95-189
4.41kr
190+
3.78kr
| +5 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 31 |
N-kanal transistor IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v. Hus: SO. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (maks.): 25uA. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Antal terminaler: 8:1. Drænkildespænding: 30V. Effekt: 2W. Funktion: 0.05R. Gate-source spænding: 20V, ±20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. Oplade: 16.7nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Termisk modstand: 62.5K/W. Tøm strøm: 4.9A. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30
IRF7303
24 parametre
Hus
SO
ID (T=100°C)
3.9A
ID (T=25°C)
4.9A
Idss (maks.)
25uA
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Antal terminaler
8:1
Drænkildespænding
30V
Effekt
2W
Funktion
0.05R
Gate-source spænding
20V, ±20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
2
Oplade
16.7nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
2W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
N&N-HEXFET Power MOSFETFET
Termisk modstand
62.5K/W
Tøm strøm
4.9A
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier