N-kanal transistor IRF7313, SO, SO-8
Antal
Enhedspris
1-4
7.38kr
5-49
6.19kr
50-99
5.41kr
100-199
4.88kr
200+
4.21kr
| +5 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 1936 |
N-kanal transistor IRF7313, SO, SO-8. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Antal terminaler: 8:1. Drænkildespænding: 30V. Effekt: 2W. Funktion: N MOSFET transistor. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. Oplade: 22nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Termisk modstand: 62.5K/W. Tøm strøm: 6.5A. Ækvivalenter: IRF7313PBF. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30
IRF7313
17 parametre
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Antal terminaler
8:1
Drænkildespænding
30V
Effekt
2W
Funktion
N MOSFET transistor
Gate-source spænding
20V, ±20V
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
2
Oplade
22nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Termisk modstand
62.5K/W
Tøm strøm
6.5A
Ækvivalenter
IRF7313PBF
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies