| Antal på lager: 127 |
N-kanal transistor IRF7341, 55V, SO8, SO-8
Antal
Enhedspris
1-4
7.35kr
5-49
5.56kr
50-94
5.26kr
95+
4.64kr
| +1052 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Ækvivalens tilgængelig | |
| Antal på lager: 92 |
N-kanal transistor IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (Dræn til kildespænding): 55V. Hus: SO8. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Antal terminaler: 8:1. Funktion: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Funktioner: -. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 4.7A. Information: -. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 95. Kør spænding: -. MSL: -. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Monteringstype: SMD. Mængde pr tilfælde: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Polaritet: MOSFET N. Port/kildespænding Vgs max: -20V. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IRF7341
19 parametre
Vdss (Dræn til kildespænding)
55V
Hus
SO8
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Antal terminaler
8:1
Funktion
tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm)
4.7A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
95
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Monteringstype
SMD
Mængde pr tilfælde
2
Pd (Strømafledning, maks.) )
2W
Polaritet
MOSFET N
Port/kildespænding Vgs max
-20V
RoHS
ja
Serie
HEXFET
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier