N-kanal transistor IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 25uA. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 8:1. C (i): 1600pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 12uA. Id(imp): 58A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 680pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja. Td(fra): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 74 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Chipcad. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30