N-kanal transistor IRF7807, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 0.017 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 8:1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: integreret kredsløb til DC-DC omformere. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. IDss (min): 30uA. Id(imp): 66A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja. Td(fra): 25 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 17:50