N-kanal transistor IRF7831TRPBF, SO8, 30 v. Hus: SO8. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: 30 v. Antal terminaler: 8:1. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6240pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.5W. Max temperatur: +150°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.35V. Producentens mærkning: F7831. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 17 ns. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: 21A. Originalt produkt fra producenten: Infineon. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30