N-kanal transistor IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 360pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 92pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja. Td(fra): 33 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14