N-kanal transistor IRF840A, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanal transistor IRF840A, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
14.59kr
5-24
12.31kr
25-49
10.79kr
50-99
9.95kr
100+
8.43kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 43

N-kanal transistor IRF840A, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.85 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1018pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 155pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja. Td(fra): 26 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 422 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF840A
29 parametre
ID (T=100°C)
5.1A
ID (T=25°C)
8A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.85 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1018pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
32A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
155pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
125W
RoHS
ja
Td(fra)
26 ns
Td(on)
11 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
422 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Vishay

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRF840A