N-kanal transistor IRF840PBF, TO220AB, 500V, 500V, 0.85 Ohms, 500V. Hus: TO220AB. Vdss (Dræn til kildespænding): 500V. Drain-source spænding (Vds): 500V. Hus (JEDEC-standard): -. On-resistance Rds On: 0.85 Ohms. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Antal terminaler: 3. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Effekt: 125W. Funktioner: -. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 8A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Information: -. Kanaltype: N. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Kør spænding: 10V. MSL: -. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. Max drænstrøm: 8A. Max temperatur: +150°C.. Monteringstype: THT. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Polaritet: MOSFET N. Port/kildespænding Vgs max: -20V. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Producentens mærkning: IRF840PBF. RoHS: ja. Serie: -. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 49 ns. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: 8A. Originalt produkt fra producenten: Vishay (ir). Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30