N-kanal transistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V

N-kanal transistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
19.92kr
5-24
17.89kr
25-49
16.20kr
50-99
14.55kr
100+
11.82kr
Antal på lager: 15

N-kanal transistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.52 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1423pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Hurtig omskifter, lav portopladning 52nC. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 208pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 170W. RoHS: ja. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Td(fra): 32 ns. Td(on): 14 ns. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 17:50

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB11N50A
30 parametre
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.52 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1423pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Hurtig omskifter, lav portopladning 52nC
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
208pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
170W
RoHS
ja
Spec info
N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V
Td(fra)
32 ns
Td(on)
14 ns
Trr-diode (min.)
510 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Vishay