N-kanal transistor IRFB3077PBF, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V

N-kanal transistor IRFB3077PBF, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V

Antal
Enhedspris
1-4
32.58kr
5-24
28.29kr
25-49
25.39kr
50-99
23.44kr
100+
20.15kr
Antal på lager: 84

N-kanal transistor IRFB3077PBF, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.0028 Ohm. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 75V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 9400pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højeffektiv synkron ensretning i skiftende strømforsyninger. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 850A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 820pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 370W. Td(fra): 69 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 17:50

IRFB3077PBF
29 parametre
ID (T=100°C)
150A
ID (T=25°C)
210A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.0028 Ohm
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
75V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
9400pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højeffektiv synkron ensretning i skiftende strømforsyninger
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
850A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
820pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
370W
Td(fra)
69 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
42 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier