N-kanal transistor IRFB3607PBF, TO220AB
Antal
Enhedspris
1-4
16.37kr
5-9
10.25kr
10-19
9.07kr
20-49
8.43kr
50+
7.89kr
| Antal på lager: 10 |
N-kanal transistor IRFB3607PBF, TO220AB. Hus: TO220AB. : Forbedret. Drænkildespænding: 75V. Effekt: 140W. Emballage: tubus. Gate-source spænding: ±20V. Montering / installation: THT. Oplade: 56nC. Polaritet: unipolar. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET. Tøm strøm: 80A. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 01/01/2026, 22:06
IRFB3607PBF
13 parametre
Hus
TO220AB
Forbedret
Drænkildespænding
75V
Effekt
140W
Emballage
tubus
Gate-source spænding
±20V
Montering / installation
THT
Oplade
56nC
Polaritet
unipolar
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET
Tøm strøm
80A
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies