N-kanal transistor IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (Dræn til kildespænding): 100V. Drain-source spænding (Vds): 100V. On-resistance Rds On: 3.7m Ohms. Hus: TO-220. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maks.): 250uA. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 9620pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Effekt: 370W. Funktion: PDP Switch. Funktioner: -. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 180A. Id(imp): 670A. Information: -. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Kør spænding: 10V. MSL: -. Max drænstrøm: 120A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Monteringstype: THT. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 670pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 370W. Polaritet: MOSFET N. Port/kildespænding Vgs max: -20V. RDS ON (MAX) @ ID, VGS: 4.5m Ohms / 75A / 10V. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Td(fra): 25 ns. Td(on): 78 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Vægt: 1.99g. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 17:50