N-kanal transistor IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

N-kanal transistor IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Antal
Enhedspris
1-4
41.86kr
5-24
37.41kr
25-49
34.33kr
50-99
32.12kr
100+
28.52kr
Antal på lager: 40

N-kanal transistor IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 12m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 150V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 4530pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: PDP Switch. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 20uA. Id(imp): 330A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 550pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. RoHS: ja. Td(fra): 24 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 17:50

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFB4228
29 parametre
ID (T=100°C)
59A
ID (T=25°C)
83A
Idss (maks.)
1mA
On-resistance Rds On
12m Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
150V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
4530pF
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
PDP Switch
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
20uA
Id(imp)
330A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
550pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
330W
RoHS
ja
Td(fra)
24 ns
Td(on)
18 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
76 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier