N-kanal transistor IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 38m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 250V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 4560pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Klasse-D lydforstærker 300W-500W (halvbro). GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 20uA. Id(imp): 180A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 390pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. RoHS: ja. Td(fra): 30 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 07:43