N-kanal transistor IRFB42N20DPBF, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.072 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 4820pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: High Speed ​​Power Switching. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 390A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: IRFB4410ZPBF. Omkostninger): 340pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. RoHS: ja. Td(fra): 43 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 07:43