N-kanal transistor IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.032 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 150V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1750pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: til klasse-D lydforstærkerapplikationer. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 140A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: IRFB5615PbF. Omkostninger): 155pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 144W. RoHS: ja. Td(fra): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Teknologi: Digital Audio MOSFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 07:43