N-kanal transistor IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms
Antal
Enhedspris
1-4
29.12kr
5-9
20.15kr
10-19
18.77kr
20-49
17.99kr
50+
17.21kr
| +62 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 5 |
N-kanal transistor IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms. Hus: TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): 40V. On-resistance Rds On: 0.002 Ohms. : Forbedret. Drænkildespænding: 40V. Effekt: 208W. Emballage: tubus. Gate-source spænding: ±20V. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 172A/120A. Montering / installation: THT. Oplade: 90nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET. Tøm strøm: 208A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 12/11/2025, 22:22
IRFB7440PBF
18 parametre
Hus
TO-220AB
Drain-source spænding (Vds)
40V
On-resistance Rds On
0.002 Ohms
Forbedret
Drænkildespænding
40V
Effekt
208W
Emballage
tubus
Gate-source spænding
±20V
Kanaltype
N
Max drænstrøm
172A/120A
Montering / installation
THT
Oplade
90nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET
Tøm strøm
208A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)