N-kanal transistor IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

N-kanal transistor IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Antal
Enhedspris
1-4
13.15kr
5-24
11.33kr
25-49
10.22kr
50-99
9.47kr
100+
8.14kr
Antal på lager: 46

N-kanal transistor IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 2M Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 4730pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: BLDC motordrev applikationer, batteridrevne kredsløb, DC/DC og AC/DC konvertere. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 770A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Omkostninger): 680pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 143W. RoHS: ja. Td(fra): 115 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3.9V. Vgs (th) min.: 2.2V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 07:43

IRFB7444PBF
29 parametre
ID (T=100°C)
60.4k Ohms
ID (T=25°C)
172A
Idss (maks.)
150uA
On-resistance Rds On
2M Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
40V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
4730pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
BLDC motordrev applikationer, batteridrevne kredsløb, DC/DC og AC/DC konvertere
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
770A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Omkostninger)
680pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
143W
RoHS
ja
Td(fra)
115 ns
Td(on)
24 ns
Teknologi
StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
24 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3.9V
Vgs (th) min.
2.2V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies