N-kanal transistor IRFB9N65A, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (maks.): 8.5A. On-resistance Rds On: 0.93 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 650V. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 167W. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 07:43