N-kanal transistor IRFBC30A, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 2.2 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 510pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 14A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 70pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 74W. RoHS: ja. Td(fra): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 07:43