N-kanal transistor IRFD220, DIP4
Antal
Enhedspris
1-4
32.35kr
5-9
23.19kr
10-19
21.81kr
20-49
20.93kr
50+
20.05kr
| Antal på lager: 25 |
N-kanal transistor IRFD220, DIP4. Hus: DIP4. Drænkildespænding: 200V. Effekt: 1W. Gate-source spænding: ±20V. Montering / installation: THT. Oplade: 14nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Type transistor: N-MOSFET. Tøm strøm: 0.5A. 800mA. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 04:39
IRFD220
11 parametre
Hus
DIP4
Drænkildespænding
200V
Effekt
1W
Gate-source spænding
±20V
Montering / installation
THT
Oplade
14nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Type transistor
N-MOSFET
Tøm strøm
0.5A
Originalt produkt fra producenten
Vishay