N-kanal transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

N-kanal transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
13.59kr
5-24
11.52kr
25-49
10.05kr
50-99
8.86kr
100+
7.18kr
Antal på lager: 95

N-kanal transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.27 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220 FULLPAK. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ingen. C (i): 360pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: DC/DC spændingsomformer. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 29A. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 150pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 37W. Td(fra): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Teknologi: tredje generations power MOSFET transistor. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFI520G
27 parametre
ID (T=100°C)
5.1A
ID (T=25°C)
7.2A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.27 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220 FULLPAK
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ingen
C (i)
360pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
DC/DC spændingsomformer
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
29A
Kanaltype
N
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
150pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
37W
Td(fra)
19 ns
Td(on)
8.8 ns
Teknologi
tredje generations power MOSFET transistor
Trr-diode (min.)
130 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Vishay