N-kanal transistor IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

N-kanal transistor IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
13.18kr
5-24
10.89kr
25-49
9.49kr
50+
8.61kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 43

N-kanal transistor IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 36A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: IRFI630G. Omkostninger): 240pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. RoHS: ja. Td(fra): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Teknologi: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFI630G
30 parametre
ID (T=100°C)
4.1A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.4 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220F
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
36A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
IRFI630G
Omkostninger)
240pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
35W
RoHS
ja
Td(fra)
39 ns
Td(on)
9.4 ns
Teknologi
Power MOSFET
Trr-diode (min.)
170 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Vishay

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRFI630G