N-kanal transistor IRFIBC20G, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-kanal transistor IRFIBC20G, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
13.19kr
5-24
10.91kr
25-49
9.20kr
50+
8.21kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 31

N-kanal transistor IRFIBC20G, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 4.4 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 6A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 48pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja. Td(fra): 30 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 290ms. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFIBC20G
28 parametre
ID (T=100°C)
1.1A
ID (T=25°C)
1.7A
Idss (maks.)
500uA
On-resistance Rds On
4.4 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220F
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
350pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
6A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
48pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
30W
RoHS
ja
Td(fra)
30 ns
Td(on)
10 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
290ms
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRFIBC20G