N-kanal transistor IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V

N-kanal transistor IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V

Antal
Enhedspris
1-24
48.63kr
25+
40.33kr
Antal på lager: 80

N-kanal transistor IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V. Hus: ITO-220AB. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: 900V. Antal terminaler: 3. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 35W. Max temperatur: +150°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Producentens mærkning: IRFIBF30GPBF. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 90 ns. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: 1.9A. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 16:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFIBF30GPBF
16 parametre
Hus
ITO-220AB
Drain-source spænding Uds [V]
900V
Antal terminaler
3
Ciss Gate Kapacitans [pF]
1200pF
Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
3.7 Ohms @ 1.1A
Indkoblingstid ton [nsec.]
14 ns
Komponentfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Gennemgående hulmontering af printkort
Maksimal dissipation Ptot [W]
35W
Max temperatur
+150°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
4 v
Producentens mærkning
IRFIBF30GPBF
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
90 ns
Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C
1.9A
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier