N-kanal transistor IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.075 Ohms. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 400pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 11.2A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 145pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. RoHS: ja. Td(fra): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 35 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Ækvivalenter: IRFL024NPBF. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 02:51