N-kanal transistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

N-kanal transistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
6.11kr
5-24
5.18kr
25-49
4.51kr
50-99
3.98kr
100+
3.23kr
Antal på lager: 53

N-kanal transistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 4. Bemærk: serigrafi/SMD-kode FC. C (i): 140pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 7.7A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: FC. Omkostninger): 53pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.1W. RoHS: ja. Td(fra): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFL210
31 parametre
ID (T=100°C)
0.6A
ID (T=25°C)
0.96A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
1.5 Ohms
Hus
SOT-223 ( TO-226 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-223
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
4
Bemærk
serigrafi/SMD-kode FC
C (i)
140pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
7.7A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
FC
Omkostninger)
53pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
3.1W
RoHS
ja
Td(fra)
14 ns
Td(on)
8.2 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
150 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier