N-kanal transistor IRFP250, TO247, TO247AC
Antal
Enhedspris
1-4
24.02kr
5-9
15.20kr
10-19
13.97kr
20-49
13.24kr
50+
12.60kr
| Antal på lager: 10 |
N-kanal transistor IRFP250, TO247, TO247AC. Hus: TO247, TO247AC. Boliger termisk modstand: 700mK/W. Drænkildespænding: 200V. Effekt: 214W. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Konditionering: tubus. Montering / installation: THT. Oplade: 82nC, 123nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET, HEXFET. Tøm strøm: 30A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 04/10/2025, 11:04
IRFP250
14 parametre
Hus
TO247, TO247AC
Boliger termisk modstand
700mK/W
Drænkildespænding
200V
Effekt
214W
Gate-source spænding
20V, ±20V
Konditionering
tubus
Montering / installation
THT
Oplade
82nC, 123nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET, HEXFET
Tøm strøm
30A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)