N-kanal transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-kanal transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Antal
Enhedspris
1-4
37.41kr
5-24
33.14kr
25-49
29.98kr
50-99
27.27kr
100+
23.98kr
Antal på lager: 119

N-kanal transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.04 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 200V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 4057pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: dynamisk dv/dt-forhold, hurtig skift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 200A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 603pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja. Td(fra): 55 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 268 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Vægt: 5.57g. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP260N
31 parametre
ID (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
50A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.04 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Spænding Vds (maks.)
200V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
4057pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
dynamisk dv/dt-forhold, hurtig skift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
200A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
603pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
300W
RoHS
ja
Td(fra)
55 ns
Td(on)
17 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
268 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Vægt
5.57g
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier