N-kanal transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

N-kanal transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
77.40kr
5-14
71.73kr
15-29
67.61kr
30-59
64.40kr
60+
59.52kr
Antal på lager: 15

N-kanal transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 4660pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 50uA. Id(imp): 110A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 460pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 500W. RoHS: ja. Td(fra): 43 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP27N60KPBF
30 parametre
ID (T=100°C)
18A
ID (T=25°C)
27A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.18 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
4660pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
SMPS MOSFET, Low Gate Charge
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
50uA
Id(imp)
110A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
460pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
500W
RoHS
ja
Td(fra)
43 ns
Td(on)
27 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
620 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Vishay