N-kanal transistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

N-kanal transistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

Antal
Enhedspris
1-4
55.60kr
5-9
50.64kr
10-24
47.19kr
25-49
44.03kr
50+
39.29kr
Antal på lager: 63

N-kanal transistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3.6M Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 75V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 13000pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 870A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 2100pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 470W. RoHS: ja. Td(fra): 130 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: HEXFET ® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP2907
30 parametre
ID (T=100°C)
148A
ID (T=25°C)
209A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
3.6M Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Spænding Vds (maks.)
75V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
13000pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
870A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
2100pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
470W
RoHS
ja
Td(fra)
130 ns
Td(on)
23 ns
Teknologi
HEXFET ® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
140 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier