N-kanal transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

N-kanal transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Antal
Enhedspris
1-4
34.28kr
5-9
30.08kr
10-24
27.32kr
25-49
25.29kr
50+
22.51kr
Antal på lager: 19

N-kanal transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 400V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 2600pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 660pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. Td(fra): 87 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 12:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP350
26 parametre
ID (T=100°C)
9.6A
ID (T=25°C)
16A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.3 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Spænding Vds (maks.)
400V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
2600pF
Driftstemperatur
-50...+150°C
Funktion
N MOSFET transistor
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
660pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
190W
Td(fra)
87 ns
Td(on)
16 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier