N-kanal transistor IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

N-kanal transistor IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
37.01kr
5-24
33.67kr
25-49
31.03kr
50-99
28.77kr
100+
25.72kr
Antal på lager: 19

N-kanal transistor IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (maks.): 72A. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Bemærk: Høj frekvens. C (i): 6160pF. Funktion: Power-MOSFET. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 300A. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 440pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. Port/kildespænding (fra) min.: 3.5V. Td(fra): 41 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5.5V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 12:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP4710
27 parametre
ID (T=100°C)
51A
ID (T=25°C)
72A
Idss
250uA
Idss (maks.)
72A
On-resistance Rds On
0.011 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Bemærk
Høj frekvens
C (i)
6160pF
Funktion
Power-MOSFET
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
300A
Kanaltype
N
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
440pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
190W
Port/kildespænding (fra) min.
3.5V
Td(fra)
41 ns
Td(on)
35 ns
Teknologi
HEXFET® Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5.5V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier