N-kanal transistor IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V

N-kanal transistor IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
38.38kr
5-24
33.71kr
25-49
30.31kr
50-99
27.56kr
100+
23.48kr
Antal på lager: 127

N-kanal transistor IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 3100pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 31A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 800pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. Td(fra): 120ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 12:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFPE50
29 parametre
ID (T=100°C)
4.7A
ID (T=25°C)
7.8A
Idss (maks.)
500uA
On-resistance Rds On
1.2 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
3100pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
31A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
800pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
190W
Td(fra)
120ns
Td(on)
19 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
650 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier