N-kanal transistor IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms
Antal
Enhedspris
1-1
49.20kr
2-4
44.08kr
5-9
40.19kr
10-24
36.68kr
25+
34.01kr
| Antal på lager: 34 |
N-kanal transistor IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms. Drain-source spænding (Vds): 800V. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Effekt: 190W. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 7.8A. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 31/12/2025, 04:37
IRFPE50PBF
7 parametre
Drain-source spænding (Vds)
800V
On-resistance Rds On
1.2 Ohms
Effekt
190W
Kanaltype
N
Max drænstrøm
7.8A
Type transistor
MOSFET effekttransistor
Originalt produkt fra producenten
Vishay