N-kanal transistor IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V

N-kanal transistor IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V

Antal
Enhedspris
1-4
42.84kr
5-9
37.12kr
10-24
33.27kr
25-49
30.80kr
50+
27.93kr
Antal på lager: 49

N-kanal transistor IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 1000V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 2800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. IDss (min): 100uA. Id(imp): 24A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 250pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2V. RoHS: ja. Td(fra): 130 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 630 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFPG50
28 parametre
ID (T=100°C)
3.9A
ID (T=25°C)
6.1A
Idss (maks.)
500uA
On-resistance Rds On
2 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247AC
Spænding Vds (maks.)
1000V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
2800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
IDss (min)
100uA
Id(imp)
24A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
250pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
190W
Port/emitterspænding VGE(th) min.
2V
RoHS
ja
Td(fra)
130 ns
Td(on)
19 ns
Teknologi
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
630 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Originalt produkt fra producenten
Vishay