N-kanal transistor IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

N-kanal transistor IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
7.60kr
5-24
6.50kr
25-49
5.71kr
50-99
5.24kr
100+
4.64kr
+2 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 157

N-kanal transistor IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Hus: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.075 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. Boliger termisk modstand: 3.3K/W. C (i): 370pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: 55V. Effekt: 38W. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 140pF. Oplade: 13.3nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: 16A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR024N
36 parametre
Hus
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
17A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.075 Ohms
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
55V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
Boliger termisk modstand
3.3K/W
C (i)
370pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Drænkildespænding
55V
Effekt
38W
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Gate-source spænding
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
68A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
140pF
Oplade
13.3nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
45W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
19 ns
Td(on)
4.9 ns
Teknologi
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
56 ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
16A
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRFR024N