N-kanal transistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

N-kanal transistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
6.25kr
5-49
5.33kr
50-99
4.64kr
100-199
4.15kr
200+
3.43kr
Antal på lager: 118

N-kanal transistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.54 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252AA. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 180pF. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 17A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 80pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja. Td(fra): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR110
28 parametre
ID (T=100°C)
2.7A
ID (T=25°C)
4.3A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.54 Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
D-PAK TO-252AA
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
180pF
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
17A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
80pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
25W
RoHS
ja
Td(fra)
15 ns
Td(on)
6.9ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier