N-kanal transistor IRFR220, TO252AA, DPAK
Antal
Enhedspris
1-4
13.77kr
5-9
8.63kr
10-19
7.45kr
20-49
6.86kr
50+
6.37kr
| Antal på lager: 50 |
N-kanal transistor IRFR220, TO252AA, DPAK. Hus: TO252AA, DPAK. Boliger termisk modstand: 3.5K/W. Drænkildespænding: 200V. Effekt: 43W. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Montering / installation: SMD. Oplade: 15nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET, HEXFET. Tøm strøm: 5A. Originalt produkt fra producenten: Infineon (irf). Antal på lager opdateret den 02/01/2026, 03:26
IRFR220
13 parametre
Hus
TO252AA, DPAK
Boliger termisk modstand
3.5K/W
Drænkildespænding
200V
Effekt
43W
Gate-source spænding
20V, ±20V
Montering / installation
SMD
Oplade
15nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET, HEXFET
Tøm strøm
5A
Originalt produkt fra producenten
Infineon (irf)