N-kanal transistor IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

N-kanal transistor IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
9.57kr
5-49
8.11kr
50-99
7.04kr
100-199
6.36kr
200+
5.20kr
Antal på lager: 78

N-kanal transistor IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 5.2m Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 2330pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Ultra lav på-modstand, ultra-lav portimpedans. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 340A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 460pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 79W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(fra): 15 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 2.25V. Vgs (th) min.: 1.35V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/11/2025, 21:30

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR3709Z
31 parametre
ID (T=100°C)
61A
ID (T=25°C)
86A
Idss (maks.)
150uA
On-resistance Rds On
5.2m Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
2330pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Ultra lav på-modstand, ultra-lav portimpedans
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
340A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
460pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
79W
RoHS
ja
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(fra)
15 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
29 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
2.25V
Vgs (th) min.
1.35V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier